![安捷伦B1505替代品易恩晶体管特性曲线图示仪如何]()
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188.00/台
- 产品简介：概述
EN-2005C测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。
测试系统特点
IV曲线显示/局部放大，程序保护电流/电压,以防损坏，品种繁多的曲线，可编程的数据点对应，增加线性或对数，可编程延迟时间可减少器件发热，保存和重新导入入口程序，保存和导入之前捕获图象，曲线数据直接导入到EXCEL，曲线程序和数据自动存入EXCEL，程序保护电流/电压,以防损坏，测试范围广（19总大类，27分类）
系统规格及技术指标
主*电压： 1mV-2000V
电压分辨率： 1mV
主*电流： 0.1nA-50A
扩展电流： 100A
电流分辨率： 0.1nA
测试精度： 0.2%+2LSB
测试速度： 0.5mS/参数
工作温度： 25℃--40℃
工作湿度： 45%--80%
贮存湿度： 10%--90%
工作电压： 200v--240v
电源频率： 47HZ--63HZ
通信接口： 232 USB
系统功耗： <150w
设备尺寸： 450mm×570mm×280mm...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![半导体失效分析IGBT可控硅MOS测试仪系统]()
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188.00/台
- 产品简介：测试系统特点
IV曲线显示/局部放大，程序保护电流/电压,以防损坏，品种繁多的曲线，可编程的数据点对应，增加线性或对数，可编程延迟时间可减少器件发热，保存和重新导入入口程序，保存和导入之前捕获图象，曲线数据直接导入到EXCEL，曲线程序和数据自动存入EXCEL，程序保护电流/电压,以防损坏，测试范围广（19总大类，27分类）
二*管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管? MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双*大功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![**晶体管图示仪]()
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188.00/台
- 产品简介：西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款多功能的**半导体测试设备。
本系统使用方便，只需要通过USB或者232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门*过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
系统软件支持
器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上USB接口程序实现的。该程序提供**的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。
一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下，输入所选器件系列名称和测试类型，并选择所需测试的参数，而不必具有*计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间，非常捷方便。
概述
EN-2005C测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。
测试系统特点
IV曲线显示/局部放大，程序保护电流/电压,以防损坏，品种繁多的曲线，可编程的数据点对应，增加线性或对数，可编程延迟时间可减少器件发热，保存和重新导入入口程序，保存和导入之前捕获图象，曲线数据直接导入到EXCEL，曲线程序和数据自动存入EXCEL，程序保护电流/电压,以防损坏，测试范围广（19总大类，27分类）
系统规格及技术指标
主*电压： 1mV-2000V
电压分辨率： 1mV
主*电流： 0.1nA-50A
扩展电流： 100A
电流分辨率： 0.1nA
测试精度： 0.2%+2LSB
测试速度： 0.5mS/参数
工作温度： 25℃--40℃
工作湿度： 45%--80%
贮存湿度： 10%--90%
工作电压： 200v--240v
电源频率： 47HZ--63HZ
通信接口： 232 USB
系统功耗： <150w
设备尺寸： 450mm×570mm×280mm
质 量： 35KG
测试范围
二*管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管? MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双*大功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS
达林顿阵列DARLINTON，光电耦合OPTO-COUPLER，继电器RELAY，稳压、齐纳二*管ZENER三端稳压器REGULATOR，光电开关OPTO-SWITCH，光电逻辑OPTO-LOGIC，金属氧化物压变电阻MOV，固态过压保护器SSOVP，压变电阻VARISTOR，双向触发二*管DIAC...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![厂家** IGBT动态参数测试仪]()
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1.00/套
- 产品简介：END2050 IGBT动态参数测试仪
系统概述：
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有*其重要的实际意义。
该系统是针对IGBT 器件的开关特性及内部续流二*管 的反向恢复特性而推出的全自动测试系统。适用于电流 小于4500A，集电*电压小于6000V，续流二*管正向电流小于4500A的 IGBT 器件的特性参数测试。
开通时间测试单元：
该系统的测试单元通过电容充放电原理产生电流波形，测试时根据不同的测试条件，设定测试电压，再通过调节不同的电感值或选择不同的测试脉冲宽度来 输出测试要求的电流值，测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理计算后，将测试数据以表格形式显示并进行较终的编辑和打印。
计算机控制单元：
作为主控制单元，设备部分工作程序/时序、开关的动作状态，数据采集等均由计算机完成。测试中，计算机与示波器通讯并控制其工作状态，并将示波器数据采集到计算机进行处理，显示，编辑。
PLC控制单元：
系统除工控机外，还采用了欧姆龙系列的PLC 对设备的工作时序，主要开关的工作状态/动作进行实时监控，并与硬件互锁，实现了可靠的安全控制功能。通过与计算机通讯，完成整个系统的自动控制。
自动恒温气动夹具：
该单元采用 5000PA的**空气压缩机供气，温度装置的控温范围是 25℃-200℃ 控温精度±1.0℃ ±1% 。液压升降柱，自动升降门，20 个探针的接触矩阵。可安全稳定的完成器件/模块的测试接触。
参数条件：
IGBT开通特性测试?? IGBT关断特性测试? 测试气动夹具
测试参数 开通延迟? tdon 10-1000±5%±10
Tj=25oC和125 oC 关断延迟tdoff 10-2000±5%±10
Tj=25oC和125 oC 压??? 力：
5000PA的**空压机供气。
控温范围：
25℃~200℃
控温精度：
±1.0℃±1%
器件接触：
20 个探针的接触矩阵
上升时间 tr 10-1000±5%±10
Tj=25oC和125 oC 下降时间tf 10-2000±5%±10
Tj=25oC和125 oC
开通能量 Eon 1-1000mJ±5%±0.1mJ
Tj=25oC和125 oC 关断能量Eoff 1-1000mJ±5%±0.1 mJ
Tj=25oC和125 oC
测试条件 集电*电压 Vce 50-3500V±5%
根据用户要求定制 集电*电压Vce 50-3500V±5%
根据用户要求定制
集电*电流Ice 50-1500A±5%
根据用户要求定制 集电*电流Ice 50-1500A±5%
根据用户要求定制
负载 L 20-1000uH L负载 20-1000uH
栅*电压 Vge ±15V±3%±0.2V
短路测试Sct 一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![IPM测试系统]()
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1.00/套
- 产品简介：ENI1220 IPM测试系统
系统概述：
IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模块，是**的混合集成功率器件， 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门*驱动电路以及**保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以保证IPM自身不受损坏。
IPM 一般使用 IGBT 作为功率开关元件，内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。IPM尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种非常理想的电力电子器件。
由于 IPM 中的IGBT 元件的死区效应，以及开启、关断时易产生损坏器件的浪涌电压和电流， 所以在IPM 设计控制信号时必须考虑死区时间，以避免上、下桥臂的对管直通短路。同时，采取软开启及软关断技术，确保 IPM 安全可靠工作。
IPM模块需要测试的特性参数很多，其中较关键的测试参数为开关特性（时间特性）的测量。由于IPM的开通、关断时间*短（uS级），属于暂态瞬变信号，难以准确捕捉.。该系统在解决了IPM 的控制信号源以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下，是一套基于 DSP 及 FPGA的高速实时测试系统，选择中心对准 SPWM 波形作为IPM控制信号源，检测 IPM 的开关特性参数以及电压电流谐波特性，并对器件的故障信息给予判断处理。
测试功能：
测试范围 测试参数
IPM BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,VEC,
UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),
ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS
IGBT ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)
DIODE VF-Temp, Temp, VF revision
????????????????配置短路测试：
电压 电流
标配 选配 标配 选配
1200V 2200V 200A 600A
4500V 1000A
6000V 2000A
短路测试
项目 范围 误差 分辨率??????
100V～1200V ±3% 10V
测试电流 10A～7** ±3% 1A
短路电流 100A～500A ±3% 1A...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![ENX2020雪崩耐量测试系统]()
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1.00/套
- 产品简介：ENX2020雪崩耐量测试系统
系统概述：
半导体分立器件作为在电力电子行业中应用较为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输 出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些 电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生*大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行较终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。
系统模块：
主控单元、电源模块、高压输出模块、电流输出模块、数据采集模块、驱动电路、保护电路
系统特征：
雪崩能量/电流*限提示、设备配有应急装置、可设置保护电压、可连接handler
测试结果保存为Excel、测试波形采集及显示、
规格/环境要求：
尺 寸：800x800x1800(mm)
质 量：210kg
环境湿度：15~40℃
工作电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
大气压力：86Kpa~106Kpa
通信接口：USB 232
系统功耗：320W
功能指标：
配置 测试范围 测试参数 条件 范围
电压
1000V IGBTs
绝缘栅双*型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V
电流
200A MOSFETs
MOS场效应管 EA重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA
2A～200A±3%±50mA
DIODEs
二*管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J
500J～2000J±3%±10J
PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A（取决于传感器）
感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、
重复间隙时间 1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![西安厂商**功率循环测试]()
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188.00/台
- 产品简介：西安厂商**功率循环测试
ENG1220 IGBT功率循环测试系统
一、概述
易恩电气ENG1220 IGBT功率循环测试系统测试方法符合GB/T29332-2012/IEC 60747-9:2007及GB4023-83等相关标准。
IGBT功率循环测试设备，是IGBT测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：
1.该测试系统是一套动态综合的测试系统，测试参数多，设备测试数据精度高。
2.该测试系统是一套大电流测试设备，设备的电气性能要求高。
3.该测试系统具有过流、过热、水压不足等保护功能。具有连续工作的特点。
4.该系统的测试程序由计算机控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。
5.该测试系统采用内控和外控两种方式。便于工作人员操作。
6.该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。
7.该测试系统是IGBT模块成品可靠性检验测试中不可缺少的*测试设备。
该套测试设备主要由以下几个单元组成：
1)热敏电流及单元
2)主电流发生单元
3)温度检测单元
4)热敏电压/稳态热阻测试单元
5)安全及保护单元
6)计算机控制单元
二、技术条件
2-1 环境要求：
A. 环境温度：8—35℃
B. 相对湿度：小于70%，一般应在相对湿度小于75%室内清洁环境条件下使用。
C. 大气压力：86Kpa—106Kpa
D. 电网电压：AC380V±10%（三相四线制、安全接地线）
E． 电网频率：50Hz±1Hz
F． 电源功率：20KW
G． 供电电网功率因数：＞0.9
H． 压缩空气：大于0.4Mpa（压缩空气宜进行前端去湿处理，以保证设备内气动器件的正常和可靠运行）
I． 冷却水要求：
● 进水温度室温±3℃
● 压力为0.1～0.3Mpa；
● 流量：60L/min；
●水质：透明、不浑浊、无沉淀，应在供水管道中加装过滤器以排除大于0.38mm的污粒，视觉干净；
2-2 主要技术指标：
2.1 加热电流：直流50-500A 显示精度0.1 A±3%；
2.2 加热时间：20-60S，冷却时间：20-60S；
2.3 散热要求：1分钟内完成器件加热到结温降温到40℃的一个循环；
2.4 热敏测试单元：
热敏电流：50mA-999 mA 分辨率0.1 mA精度±3%；
1A-10A分辨率0.1A精度0.1A±3%；
热敏电压：1V-10V分辨率1mV精度±2%
2.5 热阻单元
功率计算：饱和压降 0.3-5V分辨率0.01V精度±2%
导通电流分辨率0.1 A精度±3%
温度采集：温度采集单元分辨率0.1℃精度±0.1℃
热阻测试器件的数量为1只。
Vce，Ic，热敏电压，壳温各采一路。
2.6循环次数：1—20000次
2.7按时间控制时，显示每只器件的壳温，采集壳温的位置依据被侧器件的相应标准规定，需方将测温孔备好。
2.8按结温控制时，显示一只器件的结温，6只器件壳温。
2.9被测器件：6只（二单元串联结构）或1只6单元IGBT桥模块，IGBT桥模块按三组循环加热、占空比30%的工作方式进行设计和试验；
2.10计算机显示器件壳温、试验电流、试验次数、并可记录测试数据，测试记录表格可转为EXCEL文件。
2.11在脱机状态时，面板显示6个工位的壳温，试验电流、试验次数、加热时间、冷却时间。
2.12水路的回水采用开放式输出，冷却水路由甲方提供。
2.13电源：采用全波整流的直流电源，电流大小通过调压器手动调节。
2.13.1被测器件为二单元串联结构时，采用6只器件串联试验；
2.13.2 被测器件为六单元全桥模块时，负载为一只模块。
2.13.3 电源共一组，输出电流50-500A。
2.14可测试器件稳态热阻Rth（J-C）
2.15被测器件底板不带电。
2.16设备采用水冷散热，冷却水由需方提供。
三、功能概述
3-1测试范围
该套测试设备主要可测试以下参数：
1.热敏电压测试：V f
2.主电流测试：Ic
3.集电*电压测试：VCE
4.阈值电压测试：VGE（th）
5.温度参数测试：T1、T2
6.稳态电阻测试：Rth
7.瞬态电阻测试：Zth
3-2 计算机控制系统
计算机控制系统是该设备的中心控制单元，设备的所有工作程序，工作时序，开关的动作状态，数据的采集等均由计算机完成。
计算机采用的是研华工业控制机，机箱为610H型，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。
在计算机中，安装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI6221：1块。
NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡，具有三组数据端口，8个模拟量输入端口，两个模拟量输出口、两个定时器计数器。
PLC控制系统...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![高温阻断试验台]()
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188.00/台
- 产品简介：高温阻断试验台
系统概述
交流阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体器件施加阻断（或反偏）电压，按照规定的时间，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的 交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的 试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否通过， 同时**相关试验数据。
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置， 作交流阻断（或反偏）耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反 偏耐久性试验、高温漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。
系统组成
漏电流保护回路
在每一试品试验回路中都配置有0.1A的保险丝，当试品在试验期内发 生劣化或突然击穿或转折，保险丝将熔断，设备面板上的相应工位的 氖灯点亮示警，同时蜂鸣器报警提示。
试验电压保护回路
试验电压由衰减板衰减取样后反馈到控制单元，通过峰保器输出与电 压设定值比较，当试验电压**电压保护设定值时，过压报警器响， 同时保护继电器动作切断高压输出。
高压回路
由电源开关、控制继电器、自藕调压器、高压变压器、波形变换电路 组成，产生规定的试验电压并通过组合高压线排，接入试品工位。
电特性参数测试回路
试验电压由电压取样回路，经采集、保持 电路送到设备的数字电压表显示；
试品漏电流对每一试品漏电流*立采样，通 过设备上的波段开关分别进行转 换，传送到数字电流表显示。
技术指标
试验电压 VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 连续可调， 50HZ工频
试验电流 IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA
试验温度 室温～150℃；温度均匀性125℃±3℃； 温度波动度±0.5℃
试验工位 10工位
试验容量 80×16=1280位
加电方式...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![高温反偏试验台]()
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188.00/台
- 产品简介：高温反偏试验台
1设备简述
IGBT高压反偏试验是在一定温度条件（125℃）下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
DBC-320测试台是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验台可对相应的IGBT器件进行适配器匹配，同时对48只器件进行试验。测试标准符合MIL-STD-750，IEC 60747。本设备采用计算机自动控制系统，后台软件实时监控、自动处理目标数据，具有测试精度高、操作方便、等优点。
2试验台概要
2.1电气系统额定参数
A．输入电压：380V AC；
B. 输出电压：0-5000V DC；
C. 输出电流：2.**(Max)；
D. 工作相抵湿度：空气湿度 < 50%（高压设备严格要求）；
E. 环境温度：0-50℃。
2.2加热及散热系统
该设备测试夹具共48个工位，毎路均配置*立的加热及冷却系统，控温范围为：70-150±1.0℃，温度分辨率为0.1℃。散热器表面温度升到目标温度控制在40分钟内。
夹具柜共分为两个柜体，每个柜体24个工位，每个工位配有温度控制系统，配备温控表显示实时温度。如图温控表上面为实时温度，下面为设定温度。如需温控表的详细参数，请咨询技术人员索要说明书。
2.3测试技术参数
1）每个工位电流：输出范围0-40mA，过流保护值40Ma,
2）输出电压：200-4700V，分辨率10V,精度±2%±10V，（空-满载调整率<2%）,100-200V, 分辨率10V,精度±5%±10V，（空-满载调整率<2%）。
试验电压可设定保护值，保护动作时切断主电路，并带有声光报警。
3）工位输出电流：每个工位分为高低档，低档：0.1-15ma，分辨率0.1ma，精度±2%±0.1ma；**：15-40ma，分辨率0.1ma，精度±5%±0.5ma；漏电流采集模块内三只单管的并联值。
漏电流可设定保护值，保护动作时切断相应工位主电路，并带有声光报警。
4）工位对IGBT封装的兼容性：本设备适用器件尺寸190×140mm，夹具适配器调整后可兼容130×140mm尺寸。
每个工位有卡槽固定IGBT基板位置，气缸控制适配器，气动下压；模块基板采用气动压接方式固定在加热体表面；本试验台另配气泵等附件。
3.设备组成
本设备共分为四个机柜,分别为:计算机控制柜、电源柜、两个夹具柜。
3.1控制柜
控制柜为整个系统的控制及数据采集部分，利用工业控制计算机控制整个测试过程，进行实时监控，报警并进行数据显示。
3.2电源柜
电源柜为整个系统的高压输出电源部分。为元件测试提供持续0-5000V高压。并且电源具有过流保护功能。
3.3夹具柜
夹具柜为整个测试系统与被测元件的测试接口。夹具柜共分为48个工位，可一次性提供48个元件同时进行测试。
技术指标
静态参数测试 高压反偏测试
测试参数IR 0.01mA～2mA
0.01mA~1m±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA
测试条件：
反向电压：直流50～5000V ±3%±10V.
试验电压： 50～5000V ±3%±10V
器件漏电流测试范围： 0.01mA～2mA
0.01mA～1mA±3%±0.01mA
1mA～2mA±3%±0.1mA 测试时间：
计算机设定
测试方法：
器件在特定温度下存储一定时间后，在设定电压下对每只器件同 时持续加反压进行测试，每隔1-2秒刷新一遍输出的测试结果， 监控各器件反压下漏电流参数，并保存测试数据。
测试参数BVR 50V～5000V±3%±10V。
测试条件：
反向电流：0.01mA～2mA；直流方波。
0.01mA~1±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。
测试方法 器件在特定温度下存储一定时间后，先测试IR ，每只 器件依次进行测试，测试间隔时间为约1S。然后同时 测试BVR，依次采集电流。间隔时间为约100mS。
功能指标
试验高低温度范围 -50 oC～140oC
高低温箱温控精度 ±1
温度范围 -50℃～RT
温度波动 ≤±2℃(空载时)
温度均匀 ≤±3℃(空载时)
升温速率 不小于1～3℃/min（空载时）
供电电源 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地
规格
尺 寸：1800×650×500（mm）
质 量：175kg
测试工位：20工位
工位转换：自动切换
耐温范围：-50oC～140oC
5.注意事项
1）设备运行前需保证设备可靠接地；
2）设备运行时严禁操作控制软件，禁止打开机柜门；
3）测试完毕后，需先关闭电源，然后才可以打开机柜门更换器件；
4）设备运行完成后请勿触摸夹具以免烫伤；
5）设备启动运行时过流或者故障指示灯可能受到干扰发亮，按下面板上的复位即可解决；
6）测试过程中出现过流或者复位灯亮，则该工位高压已经切断，不影响其他工位的测试，待测试完成后可查看保险丝是否熔断及更换；
7）运行间隙期间放置器件请做好防护（佩戴隔热手套），以免烫伤。
6安全措施
该设备为高电压试验设备，因此为了保证测试人员及设备的安全，采用了多重保护措施。
1）高温反偏测试系统是一台高电压的测试设备。因此对该设备的绝缘与隔离进行特殊设计，达到了综合控制及电流及电压切换的要求。为了保证操作人员及检修人员的安全，设置了开机柜后门断主电源的功能。...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![正向寿命试验台]()
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188.00/台
- 产品简介：正向寿命试验台
系统概述
绝缘栅双*型晶体管（Iulated Gate Bipolar Traistor，简称IGBT）作为功率开关器件，具有载流密度大、饱和压降低等
许多优点，
但是由于其长期工作在高电压、大电流、高频开关状态等且运行环境复杂，IGBT功耗和结温频繁波动容易造成器件疲劳老化。目前国内外温度循环引起的器件失效机理已进行了深入研究，在此基础上正积*发展功率模块寿命预测技术以提高变流器运行可靠性。
技术指标
测试参数 VF 0.01～20V
0.01～10V±3%±0.01V
10～20V±3%±0.1V
测试条件 正向电流：1mA～60A 直流方波
脉宽 50uS-1mS
工位 20只...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![厂家**功率器件动态参数测试单元]()
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188.00/台
- 产品简介：EN-AC1220 厂家**功率器件动态参数测试单元
产品简述
EN-AC1220型功率器件动态参数测试单元，是一款专为功率器件测试用户设计开发 的低成本、组合式、低电感、**、手动测试单元。可实现对IGBT、MOS FET、二* 管的多种动态参数的**测试，测试原理符合国军标。
产品的使用是由多种配套产品组合而成，用户根据自身现有资源自选搭配，让企 业现有的资产使用，避免资产重复购置。
产品旨在解决目前业内动态成套测试系统价格高昂而给中小微企业造成的资金压力和 测试瓶颈。该产品是一款真正意义上的，能够解决测试需求的“高指标，低成本”简化产 品。
该产品由国内数位半导体产业及教授协作开发，为从事功率半导体产业的测 试用户奉上一款良心产品。
测试范围
01 IGBT 绝缘栅双*大功率晶体管 02 MOSFET MOS场效应管 03 FRD 恢复二*管
测试功能/参数
短路电流Isc 短路耐量Esc 短路时间Tsc
单脉冲雪崩能量EAS 单脉冲雪崩电流IAS 单脉冲雪崩功率PAS
反向恢复时间Trr 反向恢复电荷Qrr 反向电流Irm
开通延迟td(on) 关断延迟td(off) 上升时间tr 下降时间tf 关断时间 toff 开通时间 ton
阈值电荷Qg（th） 栅电荷Qg 平台电压VgP
雪崩特性
反向恢复特性 短路特性
栅电荷特性开关特性
产品组件
注： 下列组件，除“动态参数测试单元”为必购项外 其它组件，我司亦有其标配。 若客户方也有，请提供产品型号，由我方评估其 是否可兼容使用。
序号 项目 技术指标 **型号 参考报价
01 动态参数测试单元 IV：200A1200V
易恩 EN-AC1220
根据需求自选配置 索要报价
02 示波器
带宽500MHz以上 采样率2G以上
按**次序 1、力科 2、安捷伦 3、泰克
市场报价
03 普通探头 / 示波器自带 / 04 差分探头 / 示波器自带 / 05 电流传感器 / 示波器自带 /
06 可调电压源
0~600V 0~1A/** 用于集电*输出
艾德克斯 IT6723G
12,800.00 壹万贰仟捌佰元整
07 普通电压源
0~30V/3A 用于驱动板
固纬 GPS-3303C
2,000.00 贰仟元整
08 信号发生器 两路同时触发
泰克 AFG3022C
23,900.00 贰万叁仟玖佰元整
参数指标
功能单元 参数指标
基本参数
漏*电压可测：1200V 电压分辨率：1V（取决于外接高压电源的分辨率） 漏*较大电流可测：200A 电流分辨率：0.1A（取决于示波器的电流传感器） 栅*驱动电压范围：10~18V（连续可调，取决于外部辅助电源） 栅*驱动可输出脉冲电流：10A 栅*驱动电流范围：1mA~10A（通过改变Rg）
开关特性
脉宽范围：0.5μs~50μs（连续可调、取决于信号发生器） 脉宽分辨率：0.1μs（取决于信号发生器） 时间分辨率：1.0（取决于示波器） 电感：10μH~10mH（非标）
栅电荷
恒流源：1mA 精度：0.01mA 时间分辨率：1
短路特性
较大电流：1000A 脉冲时间：1us ~ 10us
反向恢复特性...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![栅电荷测试系统]()
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188.00/台
- 产品简介：E1040栅电荷测试系统
功能指标
测量参数 技术条件
开启栅电荷QgOn Id=1 to 100Amps
存储电荷Qgs Vdd=5 to 95v
平台电荷Qgd Vg=+/-1 to+/-19V
平台电压PlateauVoltage Ig=0.1 to 10ma
Id@threshold=100 to 1000ua
导通电阻RdsOn Qg=0.5 to 500nc
栅电阻Rg Rds(0n)=0.001 to 2.0Ohms
阈值电压GateThresholdVotage Gate/Drainwaveform...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![**大功率晶闸管综合测试仪]()
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188.00/台
- 产品简介：DBC-226**大功率晶闸管综合测试仪
系统概述
晶闸管综合参数测试系统，是大功率晶闸管测试的重要检测设备，该设备具
有如下特点：
1. 该测试系统是一套综合的测试系统，综合测试参数多，技术难度大。
2. 该测试系统是一套高压大电流的测试设备，对设备的电气性能要求高。
3. 该系统是一套动态和静态参数的集成测试系统，因此该设备的结构设计难度大。
4. 该系统的测试控制采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。
5. 该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为 Excel 文件进行处理。
6. 该测试系统是晶闸管出厂检验测试中不可缺少的*测试设备。该套测试设备主要测试晶闸管。
测试参数；
1) 门*触发参数测试单元
2) 维持电流测试单元
3) 擎住电流测试单元
4) 阻断参数测试单元
5) 通态压降参数测试单元
6) 电压上升率参数测试单元
7) 关断时间参数测试单元
8) 恢复电荷参数测试单元
技术条件
环境温度：15～40℃
相对湿度：下图给出了该测试台湿度与额定电压的关系，请按照以下条件使
用。（注：存放湿度不大于 80%。）
大气压力： 86Kpa～ 106Kpa
电网电压： AC220V±10%无严重谐波
电网频率： 50Hz±1Hz
测试范围
1. 门*参数测试：VGT、IGT
2. 维持电流测试：IH
3. 擎住电流测试：IL
4. 阻断参数测试：VD、VR 、ID、IR
5. 压降参数测试：VTM、ITM 、Vr、Ir、Vf、If、
6. 电压上升率参数测试：dv/dt
7. 关断时间参数测试：Tq...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![易恩电气智能首件测试仪 首件检测 首件确认 首件检验厂家报价价格]()
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90000.00/台
- 产品简介：易恩电气，致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子二*管反向恢复、IGBT测试仪、END2050相关的大功率分立器件测试仪、IGBT测试仪、变流器IGBT测试仪，牵引系统IGBT测试仪，半导体参数图示仪、IGBT动态参数测试仪、MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪等功率半导体测试设备.
一、 SMT智能首件检测仪HUSTEC-600主要功能介绍：
1.节省人员：由2人检测改为1人检测。
2.提率：首件检测提速2倍以上，测试过程无需切换量程，无需人工对比测量值。
3.可靠性：SMT智能首件检测仪HUSTEC-600将BOM，坐标及图纸进行**核对，实时显示检测情况，避免漏检，可方便根据误差范围 对元件值合格值自动判定，对多贴，错料，*性和封装进行方便检查；传统方式依靠人员把关，容 易出错。
4.可视性：SMT智能首件检测仪HUSTEC-600系统对PCB位号图或者扫描PCB图像，将实物放大几十倍，清晰度高，容易识别和定位； 传统方式作业员需要核对BOM，元件位置图以及非LCR背光丝印，容易视觉疲劳，导致容易出错。
5.可追溯性：自动生成首件检测报告，并可还原检测场景。
6.*加准确：使用**LCR测试仪代替万用表。
7.工艺图纸：可同时生成SMT首件工艺图纸，方便品管或维修人员使用,JDS*有功能。
8.扩展性：软件支持单机版和网络版，网络版按用户数量授权，可以多个用户同时使用。
SMT智能首件检测仪HUSTEC-600主要亮点:
1.可使用PDF位号图或扫描设备**PCBA高清图形。
2.元件检测顺序可由软件自动跳转也可以人工控制,**的自动优化算法。
3.可按元件类别检测或*某规格元件进行检测。
4.软件自动切换档位，自动切换相应的频率。
5. 全自 动判断测试结果：PASS/FAIL，测试通过后，软件自动跳下一零件，不需人工按键，并给出相应的提示音。
6.空贴位置自动打上'叉叉'，测试时自动跳过。
7.检测数、漏测数、PASS数、FAIL数等统计信息实时显示，杜绝漏测现象发生。
8.*加便捷的人工判定及不良原因记录方式 。
9.*加方便的元件查找、定位方式 。
10.全自动**元件测试参数。
11.可同时生成SMT首件工艺图纸，方便品管或维修人员使用。（详细功能如下面的PDF图纸处理功能）
12.**导入BOM及XY数据，全自动**规格值与误差。
13.BOM自检及XYData与BOM的双向对比查找错漏,同时有BOM与BOM比对功能。
14.支持双面坐标导入仅选择一面进行检测,支持同产品不同版本的检测，不需重做程序。
15.*灵活的参数定义方式，支持来料加工企业多样式的BOM，并可为客户定制读取特定的BOM格式
16.测试数据自动保存，防止档机或意外断电。
17.可全自动模似人工对BOM中已检测过的元件画勾的动作，已测元件和未测元件一目了然，多处防呆。
18.同时支持抽检模式，如:一颗料的全测，多颗料的只测程序中的*点和较后一点（可自动连接SMT机器程序）
19.可自动语音报播，如：位号，封装，元件值等...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![西安大功率 IGBT静态参数测试仪]()
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90000.00/台
- 产品简介：ENJ30200 IGBT静态参数测试仪
系统特征：
● 针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统
● 大功率（I V 较大可扩展至4500A、6000V）
● 自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作）
● 计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储
● 采用**工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点
● 测试方法灵活（可**测试器件以及单个单元和多单元的模块测试）
● 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）
控制系统：
计算机控制系统
计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元，设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态，数据采集等均由计算机完成。计算机
采用研华工业控制机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。
计算机中，装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块，NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡，具有三组数据端口，16/8个模拟
量输入端口，两个模拟量输出口、两个定时器计数器。
PLC控制系统
控制系统除工控机外，还采用了欧姆龙系列的PLC，PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制，并且与计算机进行通讯，完成了整个系
统的自动控制功能；PLC不仅控制开关的动作，而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控，并与硬件进行互锁，实现了可靠的安全控制功能。
参数条件：
①栅*-发射*漏电流IGES ④集电*-发射*截止电流ICES
IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA 集电*电流ICES:?0.1-30mA±5%±0.01mA
集电*电压VCE: 0V 集电*电压VCE:?100-3500V±5%（选配）
栅*电压 VGE: 20V ±3%±0.2V 栅*电压VGE:0V
②集电*-发射*电压BVCES ⑤栅*-发射*阀值电压测试VGETH
集电*电压VCES: 100-3500V±5%±10V（选配） VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V
集电*电流ICES:?0.1-30mA±5%±0.01mA VGE=VCE
栅*电压 VGE:?0V 集电*电流ICE: 30mA±3%
③集电*发射*饱和电压VCESAT ⑥二*管压降测试VF
VCESAT:0.1-10V VF: 0.1-5V±3%±0.01V?????
栅*电压VGE:±15V±2%±0.2V 栅*电压VGE:0V
集电*电流ICE:50-600A±5%（选配） 电流IF:50-600A±5%（选配）
导通电流IC:?50-600A±5%
栅*电压VGE:?±15V±0.2V...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![二*管反向恢复、IGBT测试仪、END2050]()
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1.00/台
- 产品简介：易恩电气，致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子二*管反向恢复、IGBT测试仪、END2050相关的大功率分立器件测试仪、IGBT测试仪、变流器IGBT测试仪，牵引系统IGBT测试仪，半导体参数图示仪、IGBT动态参数测试仪、MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪等功率半导体测试设备.
二*管反向恢复、IGBT测试仪、END2050
系统概述：
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有*其重要的实际意义。二*管反向恢复、IGBT测试仪、END2050
该系统是针对IGBT 器件的开关特性及内部续流二*管反向恢复特性而推出的全自动测试系统。适用于电流 小于4500A，集电*电压小于6000V，续流二*管正向电流小于4500A的 IGBT 器件的特性参数测试。
开通时间测试单元：
该系统的测试单元通过电容充放电原理产生电流波形，测试时根据不同的测试条件，设定测试电压，再通过调节不同的电感值或选择不同的测试脉冲宽度来 输出测试要求的电流值，测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理计算后，将测试数据以表格形式显示并进行***终的编辑和打印。
计算机控制单元：
作为主控制单元，设备部分工作程序/时序、开关的动作状态，数据采集等均由计算机完成。测试中，计算机与示波器通讯并控制其工作状态，并将示波器数据采集到计算机进行处理，显示，编辑。
PLC控制单元：
二*管反向恢复、IGBT测试仪、END2050系统除工控机外，还采用了欧姆龙系列的PLC 对设备的工作时序，主要开关的工作状态/动作进行实时监控，并与硬件互锁，实现了可靠的安全控制功能。通过与计算机通讯，完成整个系统的自动控制。
自动恒温气动夹具：...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![END1230型功率器件综合参数测试系统是针对于半导体器件进行非破坏性瞬态测试 用于MOEFET / JFET / IGBT / 恢复二*管、双*性三*管的动态参数测试]()
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111.00/套
- 产品简介：END1230型功率器件综合参数测试系统是针对于半导体器件进行非破坏性瞬态测试。
●选件丰富，通过选件的灵活搭配组合实现相应的测试功能
●PC为系统主控计算机
●测试结果可输出为EXCEL及文本格式
●每个功能单元均为*立封闭的个体功能区，无相互干扰，稳定性好
测试能力和信号源可实现升级扩展
电压：标配1200V（预留3000V的扩展选件）
电流：标配300A（预留500A的扩展选件）
时间测试精度：1.0
主控计算机控制...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![**功率器件动态参数测试系统]()
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1.00/套
- 产品简介：EN-AC1230·功率器件动态参数测试系统
●系统概述
EN-AC1230型功率器件动态参数测试系统是针对于半导体器件进行非破坏性瞬态测试。MOEFET/JFET/IGBT/恢复二*管、双*型三*管的动态参数测试。
系统的测试原理符合相应的国家标准、军标、系统为*立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
●系统特点 ●基本能力
?选件丰富，通过选件的灵活搭配组合实现相应的测试能力 ?电压1200V(预留3000V的扩展选件）
?PC为系统主控计算机 ?电流300A(预留500A的扩展选件）
?测试结果可输出为EXCEL及文本格式 ?时间测试精度：1.0
?每个功能单位均为*立封闭的个体功能区，无相互干扰，稳定性好 ?主控计算机控制
?测试能力和信号源可实现升级扩展 ?基于Labview的软件操作系统
?低电感跨接式电路结构，杂散电感小于100nh
●测试范围
序号 器件名称
01 IGBT 绝缘栅双*大功率晶体管
02 MOSFET MOSC场效应管（N沟道P沟道）
03 FRD 恢复二*管
●测试功能及参数
开关特性 栅电荷特性 雪崩特性
开通延迟td(on) 阈值电荷Qg（th） 单脉冲雪崩能量EAS
关断延迟td(off) 栅电荷Qg 重复脉冲雪崩能量EAR
上升时间tr 栅源电荷Qgs 单脉冲雪崩电流IAS
下降时间tf 栅漏电荷Qgd 单脉冲雪崩功率PAS
关断时间 toff 平台电压VgP 单脉冲雪崩能量EAS
反向恢复特性 短路特性 浪涌电流
反向恢复时间Trr 短路电流Isc 测试频次自动加载
反向恢复电荷Qrr 短路耐量Esc 脉宽可调
较大反向电流Irm 短路时间Tsc 峰值电流可达20KA
等效电阻寄生电容 功率循环 静态参数
等效电阻 加热电流 静态直流全参数
输入电容Ciss 循环次数 包括漏电流、跨导
输出电容Coss 升温降温 击穿电压、压降等
反馈电容C
●参数指标
功能单元 参数指标
基本参数 功率源：1200V?300A?????????????
较小定时测量1.0
开关特性 脉宽：1.0μs~10μs、0.1μs的步径；
电流：1.0~50 A 分辨率0.2 A
50.5~100 A 分辨率 1.0 A
漏*电压： 5V - 1500V，0.1V的步径；
电感：0.1mH~159.9mH
栅*电流：峰值电流14A
栅*驱动：±20V 分辨率0.1V
栅电荷 栅*驱动 较低 0 - 2.0 mA 分辨率 0.01 mA
中间 2.0 - 20.0 mA 分辨率 0.1 mA
较高 20.0 - 200.0 mA 分辨率 1.0 mA
栅*电压 ±20 volts 分辨率 ±0.1 V
漏*电流（固态负载）1 - 25 A 分辨率 0.1 A
25 - 200 A 分辨率 0.5 A
较大电流下所有电压都不可用
漏*电压 25V - 1200V
短路特性 较大电流：1000A
脉冲时间：1us ~ 100us
栅*驱动：±20V 分辨率 0.1V
漏*电压：5V ~ 1200V，0.1V的步径
反向恢复特性 正向电流（IF）：1.0 - 50 A @ 0.2 A
50.5 - 200 A @ 1.0 A（较大电流下所有电压不可用）
反向电流斜率（di/dt）：1.0 - 600 A/μs，1.0A/ 的步径
反向恢复电流（Irm）：≤200A
占空比：＜ 0.1%
反向恢复时间（Trr）：10 - 2.0 μs
电源电压（VDD）：5V - 1200V，0.1V的步径
反向恢复电荷（Qrr）：1 nC - 100 μC...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![半导体分立器件测试系统系列]()
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1.00/套
- 产品简介：ENJ2005-B半导体分立器件测试系统系列
系统概述：
设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补
偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机*立完成多种工作。
系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
系统特征：
● 测试范围广（19大类，27分类）
●升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A
● 采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300uS
● 被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏
● 真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际值偏差很大）
● 系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障
● 二*管*性自动判别功能，无需人工操作
测试参数：
漏电参数：IR、ICBO、LCEOX、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS、
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
基础配置：
技术参数 ENJ2005-B型
主*电压 10mV-2000V
主*电流 100nA-50A
扩展电流 100A、200A、400A、500A
电压分辨率 1mV
电流分辨率 100nA
测试精度 0.5%+2LSB...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
![大功率晶体管图示仪]()
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1.00/套
- 产品简介：ENJ2005-C晶体管图示仪
系统特征：
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护较大电流/电压,以防损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 测试范围广（19大类、27分类）
曲线测试：
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEOX、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数：IL
配置规格：
配置 规格/环境
主*电压 1mV-2000V 尺?????? 寸 450×570×280（mm）
电压分辨率 1mV 质?????? 量 35kg
主*电流 0.1nA-50A 工作电压 200V-240V
扩展电流 100A 电源频率 47Hz-63Hz
电流分辨率 0.1nA 工作温度 25℃-40℃
测试精度 0.2%+2LSB 通信接口 232 USB
测试速度 0.5mS/参数 系统功耗 <150w
???????????????? 测试范围：
01 二*管??????????????????????????????????????? /?????????????? DIODE
02 晶体管??????????????????????????????????????? /?????????????? NPN型/PNP型
03 J型场效应管?????????????????????????????? /??????????????? J-FET
04 MOS场效应管???????????????????????????/??????????????? MOS-FET?????????
05 双向可控硅????????????????????????????????/??????????????? TRIAC
06 可控硅???????????????????????????????????????/??????????????? SCR
07 绝缘栅双*大功率晶体管????????????/?????????????? ?IGBT
08 硅触发可控硅?????????????????????????????/??????????????? STS
09 达林顿阵列???????????????????????????????? /?????????????? DARLINTON
10 光电耦合????????????????????????????????????/?????????????? ?OPTO-COUPLER
11 继电器?????????????????????????????????????? /??????????????? RELAY
12 稳压、齐纳二*管????????????????????? /??????????????? ZENER
13 三端稳压器?????????????????????????????????/????????????? ?REGULATOR
14 光电开关??????????????????????????????????? /?????????????? OPTO-SWITCH...
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西安易恩电气科技有限公司
2021-10-12
