半导体失效分析IGBT可控硅MOS测试仪系统
更新时间：2021-10-12
信息编号：1301045
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联系方式半导体失效分析IGBT可控硅MOS测试仪系统
测试系统特点 IV曲线显示/局部放大，程序保护电流/电压,以防损坏，品种繁多的曲线，可编程的数据点对应，增加线性或对数，可编程延迟时间可减少器件发热，保存和重新导入入口程序，保存和导入之前捕获图象，曲线数据直接导入到EXCEL，曲线程序和数据自动存入EXCEL，程序保护电流/电压,以防损坏，测试范围广（19总大类，27分类） 二*管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管? MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双*大功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS
地址：西安市高陵区旅游大道融豪工业城V5栋
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