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正向寿命试验台 系统概述 绝缘栅双*型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）作为功率开关器件，具有载流密度大、饱和压降低等 许多优点， 但是由于其长期工作在高电压、大电流、高频开关状态等且运行环境复杂，IGBT功耗和结温频繁波动容易造成器件疲劳老化。目前国内外温度循环引起的器件失效机理已进行了深入研究，在此基础上正积*发展功率模块寿命预测技术以提高变流器运行可靠性。 技术指标 测试参数 VF 0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V 测试条件 正向电流：1mA～60A 直流方波 脉宽 50uS-1mS 工位 20只
地址：西安市高陵区旅游大道融豪工业城V5栋
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