栅电荷测试系统
ENS1040栅电荷测试系统
功能指标
测量参数 技术条件
开启栅电荷QgOn Id=1 to 100Amps
存储电荷Qgs Vdd=5 to 95v
平台电荷Qgd Vg=+/-1 to+/-19V
平台电压PlateauVoltage Ig=0.1 to 10ma
Id@threshold=100 to 1000ua
导通电阻RdsOn Qg=0.5 to 500nc
栅电阻Rg Rds(0n)=0.001 to 2.0Ohms
阈值电压GateThresholdVotage Gate/Drainwaveform