半导体分立器件测试系统系列
更新时间：2021-10-12
信息编号：1301028
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ENJ2005-B半导体分立器件测试系统系列 系统概述： 设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补 偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。 面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机*立完成多种工作。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。 系统特征： ● 测试范围广（19大类，27分类） ●升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A ● 采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300uS ● 被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏 ● 真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际值偏差很大） ● 系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障 ● 二*管*性自动判别功能，无需人工操作 测试参数： 漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO) 击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO 增益参数：hFE、CTR、gFS、 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator) 混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 基础配置： 技术参数 ENJ2005-B型 主*电压 10mV-2000V 主*电流 100nA-50A 扩展电流 100A、200A、400A、500A 电压分辨率 1mV 电流分辨率 100nA 测试精度 0.5%+2LSB
地址：西安市高陵区旅游大道融豪工业城V5栋
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