Partulab佰力博 RMS-1000P系列 高温四探针单晶硅物理测试 导电性能测量

Partulab佰力博 RMS-1000P系列 高温四探针单晶硅物理测试 导电性能测量

电阻和电阻率测量系统 WIDE RANGE RESISTANCE AND RESISTIVITY MEASUREMENT SYSTEM RMS系列电阻和电阻率测量系统是用于评估材料导电性能关键测量仪器，Partulab佰力博数十位工程师和用户抽丝剥茧，调整、推翻、解决，让RMS系列电阻和电阻率测量系统有了全新定义。全新的RMS系列电阻和电阻率测量系统不仅可以提供单样品测量夹具和多样品测量夹具互换，还可以提供不同的测量环境（如：流动气氛、真空气氛、不用氧分压），以满足教学、科研多样化的应用场合需求。 10年专注 从nΩ到PΩ全量程电阻率和电阻率测量解决方案 ① 被业界一致电阻和电阻率测量系统 ② 拥有多项技术 ③ 集成化程度高、操作*简单 ④ 清华大学、上硅所** RMS-1000C系列 导电材料电阻率测量系统 测量通道：单通道 温度范围：RT-1000℃ 电阻率：10-8Ω.cm~105Ω.cm 控温精度：±0.5℃ 升温斜率：0-10℃/min（典型值3℃/min） 测量环境：空气、流动气氛、真空气氛 配套设备: KI2182+6221 RMS-1000S系列 半导体材料电阻率测量系统 测量通道：单通道 温度范围：RT-1000℃ 电阻率：10-4Ω.cm~108Ω.cm 控温精度：±0.5℃ 升温斜率：0-10℃/min（典型值3℃/min） 测量环境：空气、流动气氛、真空气氛 配套设备: KI2400 RMS-1000I系列 绝缘材料电阻率测量系统 测量通道：单通道 温度范围：RT-1000℃ 电阻率：103Ω.cm~1015Ω.cm 控温精度：±0.5℃ 升温斜率：0-10℃/min（典型值3℃/min） 测量环境：空气、流动气氛、真空气氛 配套设备: KI6517B RMS-1000P系列 薄膜四探针电阻测量系统 测量通道：单通道 温度范围：RT-1000℃ 电阻率：10-4Ω.cm~105Ω.cm 控温精度：±0.5℃ 升温斜率：0-10℃/min（典型值3℃/min） 测量环境：空气、流动气氛、真空气氛 配套设备: KI2400 RMS-1000P系列 Partulab RMS-1000P高温四探针测量系统主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，该系统采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计研发，可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗 单晶（棒料、晶片）电阻率和硅外延层、扩散层和离子注 入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻和电阻率。该系统广泛应用于高校科研院所和企业单位半导体薄膜和薄片材料电学性能研究。 功能特点： ■ 可以实现高温、真空、气氛等条件下测量薄膜方块电阻; ■ 可以实现常温，变温，恒温条件的 I-V、R-T、R-t等测量功能; ■ 可以通过输入样品的面积和厚度，软件自动计算样品的电阻率ρv; ■ 可以分析电阻率ρv与温度T的变化的曲线; ■ 可以与Keithley 2400或2600数字多用表配套; ■ 技术规格： ??测量温度：RT-600℃/1000℃ 测量组合：四探针双电测组合测量 供电：220V±10%，50Hz 升温斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min) 样品尺寸：φ15~30mm，d＜4mm 工作温度：5℃ 至 + 40 ℃； 控温精度：±0.5℃ 电极材料：碳化钨针 存储温度：–40 ℃ 至 +65 ℃ 电阻测量范围：0.1mΩ~100MΩ 数据存储格式：TXT文本格式 工作湿度：+40 ℃ 时，相对湿度较高达 95%（无冷凝） 电阻率测量范围：1mΩ.cm~100MΩ.cm 数据传输：USB 设备尺寸：630x640x450mm 方块电阻范围：0.1mΩ~100MΩ/□ 重量：38kg 测量环境：空气、流动气氛、真空气氛 保修期：1年 ■ NOTE